Cảm biến gia tốc MEMS hiệu suất cao 2 trục Gia tốc kế MEMS độ chính xác cao

Mô hình

MXD05HC

MXD10HC

MXD16HC

MXD20HC

MXD30HC

MXD50HC

Đơn vị

Gói

CLCC48

CLCC48

CLCC48

CLCC48

CLCC48

CLCC48

Trục

X,Y

X,Y

X,Y

X,Y

X,Y

X,Y

Phạm vi

5

10

16

20

30

50

g

Không tuyến tính quy mô

< 1500

< 1500

< 1500

< 1500

< 1500

<3000

ppm(Tiêu chuẩn IEEE, quy mô đầy đủ)

băng thông (được điều chỉnh) 3db

150

150

150

150

150

150

Hz

Tiếp tục

<1.5

<1.5

<1.5

<1.5

<1.5

<1.5

ms

VRE

100

100

50

50

40

30

μg/g2

ồn

< 12.5

<15

<20

< 25

<40

< 100

μg/√Hz

Nghị quyết

< 12.5

<15

<20

< 25

<40

< 100

μg

Sự thiên vị trước khi vận chuyển (nhiệt độ phòng)

<±1

<±1

<±1

<±1

<±1

<±1.5

mg ((giá trị hiệu chuẩn nhiệt độ phòng)

Sự thay đổi nhiệt độ trước khi vận chuyển

<±1.25

<±2.5

<±3

<±3

<±5

<±6

mg

Hysteresis nhiệt độ trước khi vận chuyển

<0.2

<0.4

<0.5

<0.5

<0.6

<0.7

mg

Số dư bù trừ thiên vị sau khi vận chuyển

<±0.2

<±0.25

<±0.3

<±0.4

<±0.75

<±1

mg ((Bồi thường theo từng mảnh thứ hai)

Bias Stability 1s mượt mà

13

20

25

25

50

100

ug

Bias ổn định 10s mịn

8

15

15

15

35

50

ug

Bias Độ ổn định

2

4

5

5

10

15

ug

Tỷ lệ lặp lại hàng năm

<±0.6

<±1

<±1.25

<±1.25

<±1.75

<±2

mg

Khả năng lặp lại chuyển đổi 1σ

5

7.5

<10

<10

<20

<20

ug

Factor quy mô được thiết lập tại nhà máy

1600000±320

800000±80

500000±50

400000±40

250000±50

150000±30

Lsb/g ((giá trị hiệu chuẩn nhiệt độ phòng)

Tỷ lệ lặp lại hàng năm

<±250

<±250

<±250

<±250

<±250

<±250

Ppm

Tỷ lệ nhiệt độ theo thang đo

< 80

< 80

< 80

< 80

< 80

< 80

ppm/°C

Lỗi còn lại của yếu tố thang đo sau khi bù đắp nhiệt độ hệ thống

< 100

< 100

< 100

< 100

< 100

< 100

ppm ((Chiều bồi thường thứ hai)

Thời gian khởi động

<0.5

<0.5

<0.5

<0.5

<0.5

<0.5

s

Tần số lấy mẫu (có thể điều chỉnh)

16K±5%

16K±5%

16K±5%

16K±5%

16K±5%

16K±5%

Hz

Động lực điện

3000

3000

3000

3000

6000

6000

g

Không sốc điện

3000

3000

3000

3000

6000

6000

g

Lỗi điều chỉnh rung động (6 gram)

1

1

1

0.5

mg/gms

Nhiệt độ hoạt động

-45-+85

-45-+85

-45-+85

-45-+85

-45-+85

-45-+85

°C

Điện áp cung cấp

5±0.25

5±0.25

5±0.25

5±0.25

5±0.25

5±0.25

V

Hiện tại

<20

<20

<20

<20

<20

<20

mẹ

CI

SPI

SPI

SPI

SPI

SPI

SPI

SPI