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Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop

Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop

Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor

Hochempfindlicher PIN-Feldwirkungstransistor

Hochempfindliches PINFET-Transistormodul

Herkunftsort:

CHINA

Markenname:

Liocrebif

Zertifizierung:

GJB 9001C-2017

Modellnummer:

LKF-PINFET

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Produktdetails
Farbe und Klassifizierung:
LKF-PINFET
Marke:
Locrebif
Modultyp:
Gyroskop
Originort:
CHINA
Anwendung:
Glasfasergyroskop
Ausgangsformat:
RS422
Hervorheben:

Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor

,

Hochempfindlicher PIN-Feldwirkungstransistor

,

Hochempfindliches PINFET-Transistormodul

Zahlungs- und Versandbedingungen
Min Bestellmenge
1
Preis
5000-25000CHY
Verpackung Informationen
Holzbox/Karton/Container
Lieferzeit
2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen
T/t
Versorgungsmaterial-Fähigkeit
10000
Produkt-Beschreibung
Wesentliche Details
MOQ:1
Spezifikationsnummer:LKF-PINFET
Produkteinführung
Produkteinführung

Als optischer Informationsempfänger des optischen Empfängersystems fungiert PINFET (P-Intrinsic-N Field-Effect Transistor)   als spannungsverstärkender optoelektronischer Wandler.

Spezifikationsparameter wie Linearitätsantwort, minimale lineare optische Leistung,     lineare Sättigungsoptische Leistung, 3dB Bandbreite S21 sind speziell für die Anwendungen von analogen Glasfasersystemen (z. B. IFOG & FOCT et al. Glasfasersensor) definiert.

Der PINFET wandelt das vom Sagnac-Interferometer zurückgegebene optische Signal in ein elektrisches Signal um und verstärkt das schwache Signal. In Glasfaserkommunikationssystemen wird PINFET üblicherweise als digitales Gerät verwendet, während es in Glasfasergyroskopen als analoges Gerät verwendet wird.

 

Die Hauptanforderungen von Glasfasergyroskopen an PINFET-Komponenten sind wie folgt:

1. Höhere Responsivität und Empfindlichkeit, geringeres thermisches Rauschen und Dunkelstromrauschen, um die Verringerung des Signal-Rausch-Verhältnisses nach der Umwandlung des optischen Signals in ein elektrisches Signal zu reduzieren;

2. Größerer Dynamikbereich, um sich an einen größeren optischen Leistungseingang bei höherem Signal-Rausch-Verhältnis anzupassen;

3. Die Frequenzbandbreite erfüllt die Anforderungen des Gyroskops.

 

 

Technische Spezifikation

LKF PINFET

Wellenlängenband

1290 ~ 1560 nm

Lineare Responsivität

0,72 V/μW

0,36 V/μW

0,18 V/μW

Lineare maximale optische Leistung

≥4μW

≥8μW

≥16μW

Lineare minimale optische Leistung

≤0,03μW

≤0,05μW

≤0,1μW

Linearität

±3%

Transimpedanz

800KΩ

400KΩ

200KΩ

3dB Bandbreite

4~10MHz

Effektivwert (RMS) Spannung

≤0,5mV

Gehäuse

Siehe Gehäusetyp

Endfaser

SM/PM, φ125μm/80μm,L=1m

Arbeitstemperatur

-45~+70℃

Lagertemperatur

-55~+85℃

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

Produktcodetabelle

Produktcode

Gehäusetyp

Transimpedanz

Ausgangspigtail

TSXF01

8 Pins

200K

125/250 SM Faser

TSXH02

8 Pins

400k

125/250 SM Faser

TFGF02

Mini 8 Pins

200K

80/165 SM Faser

TFGH01

Mini 8 Pins

400k

80/165 SM Faser

TGGF02

Mini 6 Pins

200K

80/165 SM Faser

TDXJ02

14 Pins

800k

125/250 SM Faser

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Hauptmerkmale

Geringes Rauschen, hohe Linearität

Bandbreite kann für unterschiedliche Responsivität angepasst werden

Konformität von 14-poligem/8-poligem Gehäuse ist austauschbar

Hervorragende Konsistenz und Zuverlässigkeit

 
Anwendungen

Glasfasergyroskop (FOG)

Glasfaser-Stromwandler (FOCT)

Sonstige optische Fasersensorik

 

Abb.1 Abmessungen von PINFET

S Typ

 Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop 0

 

 

D Typ

 Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop 1

 

F Typ

Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop 2

 

G Typ

Kompakter PIN-Feldwirkungstransistor mit hoher Empfindlichkeit für Glasfasergyroskop 3

 

 

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