दस्तावेज़:
डिवाइस अनुप्रयोगों के लिए पीएम (ध्रुवीकरण-रखरखाव) फाइबर एक विशेष फाइबर है जिसे ध्रुवीकरण-संवेदनशील उपकरणों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह नियमित और सममित "दोहरे गोलाकार" तनाव छड़ों वाली पांडा-प्रकार की संरचना को अपनाता है, जहां कोर और दो तनाव छड़ें एक सीधी रेखा में संरेखित होती हैं।
यह फाइबर उत्कृष्ट द्वि-अपवर्तन, पॉलिश करने की क्षमता, कम क्षीणन, और सटीक, स्थिर ज्यामितीय आयामी स्थिरता प्रदान करता है। बेंड-इनसेंसिटिव पीएम फाइबर में सख्त क्लैडिंग व्यास ज्यामितीय सहनशीलता होती है, जो R7.5 और R5 छोटे बेंड त्रिज्या अनुप्रयोगों के साथ संगत है।
ये विभिन्न ध्रुवीकरण-संवेदनशील उपकरणों और पीएम एरे के लिए व्यापक रूप से उपयुक्त हैं, जो AI कंप्यूटिंग इन्फ्रास्ट्रक्चर, डेटा सेंटर इंटरकनेक्ट्स (DCI), कोहेरेंट ऑप्टिकल कम्युनिकेशन बैकबोन नेटवर्क, और क्वांटम कम्युनिकेशन जैसे अत्याधुनिक संचार क्षेत्रों के विकास की नींव रखते हैं।
| पैरामीटर | PM780-125/245G | PM980B-125/245G | PM1310C-125/245G | PM1550D-125/245G |
|---|---|---|---|---|
| ऑप्टिकल विनिर्देश | ||||
| ऑपरेटिंग वेवलेंथ (nm) | 780 | 980 | 1310 | 1550 |
| कटऑफ वेवलेंथ (nm) | 650~770 | 800~970 | 1100~1290 | 1290~1520 |
| मोड फील्ड व्यास (μm) | 5.5±0.5 @850nm | 6.5±0.5 | 9.0±0.5 | 10.5±0.5 |
| क्षीणन (dB/km) | ≤4.0 | ≤2.5 | ≤0.5 | ≤0.5 |
| बीट लेंथ (mm) | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 |
| क्रॉसस्टॉक @100m (dB) | ≤-30 | ≤-30 | ≤-40 | ≤-40 |
| क्रॉसस्टॉक @4m (dB) | ≤-40 | ≤-40 | ≤-50 | ≤-50 |
| ज्यामितीय और सामग्री विनिर्देश | ||||
| क्लैडिंग व्यास (μm) | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 |
| कोटिंग व्यास (μm) | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 |
| क्लैडिंग गैर-गोलाकारता (%) | ≤1.0 | ≤1.0 | ≤1.0 | ≤1.0 |
| कोर-क्लैड समरूपता (μm) | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 |
| कोटिंग संरचना | डुअल-लेयर यूवी-एक्रिलेट | |||
| पर्यावरणीय और यांत्रिक विनिर्देश | ||||
| ऑपरेटिंग तापमान (℃) | -55~+85 | -55~+85 | -55~+85 | -55~+85 |
| प्रूफ टेस्ट (kpsi) | ≥100 | ≥100 | ≥100 | ≥100 |
| पैरामीटर | PM1310-125/245G-BI | PM1550-125/245G-BI | PM1310-125/245G-BIR5 | PM1550-125/245G-BIR5 |
|---|---|---|---|---|
| ऑप्टिकल विनिर्देश | ||||
| ऑपरेटिंग वेवलेंथ (nm) | 1310 | 1550 | 1310 | 1550 |
| कटऑफ वेवलेंथ (nm) | 1100~1260 | 1290~1520 | 1100~1260 | 1290~1520 |
| मोड फील्ड व्यास (μm) | 7.8±0.5 | 9.0±0.5 | 7.8±0.5 | 9.0±0.5 |
| क्षीणन (dB/km) | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 |
| बीट लेंथ (mm) | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 | ≤3.0 |
| बेंडिंग क्रॉसस्टॉक (dB) | ≤-30 @1310nm (व्यास 15mm, 10 मोड़) | ≤-30 @1550nm (व्यास 15mm, 10 मोड़) | ≤-30 @1310nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) | ≤-30 @1550nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) |
| मैक्रोबेंडिंग लॉस (dB) | ≤0.1 @1310nm (व्यास 15mm, 10 मोड़) | ≤0.1 @1550nm (व्यास 15mm, 10 मोड़) | ≤0.1 @1310nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) | ≤0.1 @1550nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) |
| ज्यामितीय और सामग्री विनिर्देश | ||||
| क्लैडिंग व्यास (μm) | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 | 125.0±1.0 |
| कोटिंग व्यास (μm) | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 | 245.0±7.0 |
| क्लैडिंग गैर-गोलाकारता (%) | ≤1.0 | ≤1.0 | ≤1.0 | ≤1.0 |
| कोर-क्लैड समरूपता (μm) | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 | ≤0.5 |
| कोटिंग संरचना | डुअल-लेयर यूवी-एक्रिलेट | |||
| पर्यावरणीय और यांत्रिक विनिर्देश | ||||
| ऑपरेटिंग तापमान (℃) | -55~+85 | -55~+85 | -55~+85 | -55~+85 |
| प्रूफ टेस्ट (kpsi) | ≥100 | ≥100 | ≥100 | ≥100 |
| पैरामीटर | PM1310-80/165G-BIR5 | PM1550-80/165G-BIR5 |
|---|---|---|
| ऑप्टिकल विनिर्देश | ||
| ऑपरेटिंग वेवलेंथ (nm) | 1310 | 1550 |
| कटऑफ वेवलेंथ (nm) | 1100~1260 | 1290~1520 |
| मोड फील्ड व्यास (μm) | 7.4±0.5 | 8.6±0.5 |
| क्षीणन (dB/km) | ≤3.0 | ≤3.0 |
| बीट लेंथ (mm) | ≤3.0 | ≤3.0 |
| बेंडिंग क्रॉसस्टॉक (dB) | ≤-30 @1310nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) | ≤-30 @1550nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) |
| मैक्रोबेंडिंग लॉस (dB) | ≤0.5 @1310nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) | ≤0.5 @1550nm (व्यास 10mm, 10 मोड़) |
| ज्यामितीय और सामग्री विनिर्देश | ||
| क्लैडिंग व्यास (μm) | 80.0±0.5 | 80.0±0.5 |
| कोटिंग व्यास (μm) | 165.0±5.0 | 165.0±5.0 |
| क्लैडिंग गैर-गोलाकारता (%) | ≤1.0 | ≤1.0 |
| कोर-क्लैड समरूपता (μm) | ≤0.5 | ≤0.5 |
| कोटिंग संरचना | डुअल-लेयर यूवी-एक्रिलेट | |
| पर्यावरणीय और यांत्रिक विनिर्देश | ||
| ऑपरेटिंग तापमान (℃) | -55~+85 | -55~+85 |
| प्रूफ टेस्ट (kpsi) | ≥100 | ≥100 |
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